理大先进制造研究院成员、应用物理学系副教授赵炯教授带领的研究团队,在二维铁电体和二维范德华(van der Waals)材料方面的研究取得重大发现。团队成功研发出可大规模制造二维硒化铟(In2Se3)的方法,并为二维范德华材料和双层二维材料特性背后的重要机制提供了崭新见解。
硒化铟是一种极具应用潜力的二维铁电体材料,但目前未有方法可用于大规模制造具备所需物相的二维硒化铟薄膜。团队运用透射电子显微镜(TEM)技术,直接在原子层面上观测及分析材料的铁电畴、畴壁及其他关键特征,并成功制造出纯相的二维硒化铟薄膜。研究成果已发表于《Nature Nanotechnology》期刊。
此外,研究团队揭示了硒化铟等二维金属单硫属化物材料所具备的超高可塑性,以及扭曲双层二硫化钼(MoS2)中具有调控的复杂涡旋模式。两项研究结果分别发表于《Nature Materials》和《Science》期刊。
几项研究有望推动微电子、人工智能及量子资讯领域的技术发展,从而促进高密度存储设备、能量转换系统、传感技术及催化技术等各种应用的开发。以上研究成果有赖于理大原子透射电子显微镜实验室的技术支持,以及应用物理学系纳米材料讲座教授兼系主任刘树平教授、理大应用物理学系助理教授杨明教授及香港城市大学化学系副教授李淑惠教授的研究团队提供协助与支持。
研究部门 | 先进制造研究院 |
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